三星電子瞄準下一代高寬頻記憶體市場，打造下一代HBM4記憶體巨星！
三星電子半導體業務今年預估將面臨13兆韓元的虧損，原因是全球經濟減緩和記憶體需求疲軟。這將是該公司半導體業務首次連續四個季度虧損。然而，隨著記憶體價格回升和客戶端庫存減少，預計記憶體價格上漲速度將超出預期，三星電子預計DRAM將在第四季轉虧為盈。受到需求改善的影響，明年預計全年營業額將達到302兆韓元，營業利潤預計將大幅增長至33兆3千億韓元，半導體業務將由13兆韓元虧損轉盈。
圖片來源：三星電子 HBM3 Icebolt
另一方面，三星電子正積極展開新一輪技術革新，以領導下一代HBM（高寬頻記憶體）市場。內部正在討論對HBM4（第六代HBM）中不可或缺的“邏輯晶片”計畫應用更先進的製程技術。
HBM通過TSV（矽通孔電極）垂直堆疊多個DRAM記憶體，I/O通道相比傳統D RAM增加了數十倍，極大提升性能。未來HBM4將帶來技術變革，I/O數量達2048個，是HBM3的兩倍。三星電子目標在2025年實現HBM4的量產，同時引入可提高芯片性能的先進封裝技術，改變製造過程。
圖片來源:ZDNET Korea- 解釋 HBM 內部結構的圖像
最初，三星電子及其他主要競爭對手在邏輯晶片的製程上取得了優勢，特別是三星電子計劃強化邏輯晶片的性能，最近也計畫在邏輯晶片的製程中進一步縮減計劃的製程寬度。這有助於全面提升HBM的PPA（性能、功耗效率、面積），並滿足客戶需求提供定制產品。同時，三星電子致力於開發記憶體、代工和系統LSI，彰顯邏輯晶片的價值。然而，HBM4的量產時間可能會有所延後，這仍是一個變數。
總體而言，儘管當前半導體市場面臨一定挑戰，但三星電子透過技術創新和業務多元化展現出強大的應變能力。未來隨著半導體需求的持續增長，以及對下一代記憶體技術的引領，三星電子在半導體領域的前景仍然充滿希望。
參考資料 1.삼성전자, 올해 반도체 13兆 적자…내년 반등 기대
2.삼성전자, HBM4서 '역전' 노린다…로직다이 공정 고도화 추진
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