SK hynix與TSMC簽署合作協議：共同開發下一代高性能記憶體-HBM4
圖片來源：techplus
SK hynix和TSMC宣布他們已簽署了一項重要的合作協議，將攜手共同開發下一代高性能HBM（High Bandwidth Memory）記憶體技術，預計於2026年量產。這一重大合作將結合TSMC的先進製程技術和SK hynix的專業記憶體製造能力，旨在推動HBM技術的革新與發展。
根據協議內容，SK hynix將利用TSMC的高度先進邏輯製程技術，提昇DRAM基底晶片的性能。將更多功能集成於晶片中，以提升產品的性能和功耗效率，力爭在有限的空間內實現更多功能。除了基底晶片的開發外，雙方還合作共同優化HBM和TSMC的CoWoS（晶片在晶圓上的晶片在基板上），CoWoS技術是TSMC的獨有封裝技術，能夠將GPU、邏輯晶片和HBM等多個晶片整合到一個模塊中，這對於提高系統的整體性能至關重要。
這次合作將為全球記憶體市場帶來全新的動力和機遇，加速HBM技術的創新與普及，推動整個行業向前發展。相信在雙方攜手合作下，將為客戶帶來更多高性能、低功耗的記憶體產品，並推動全球高性能計算、人工智能和數據中心等各個領域的應用與發展。
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