新一代記憶體效能突破關鍵，東工大研究團隊成功開發降低IGZO-TFT 接觸電阻技術
東京工業大學的研究團隊最近宣布了一項重要的發現：通過在非晶氧化物半導體IGZO-TFT的電極中使用催化金屬，可以有效解決IGZO-TFT中的接觸界面問題，降低接觸電阻的同時保持晶體管的穩定性。
圖片來源：東工大プレスリリース
IGZO-TFT作為一種高速和大容量的記憶體材料，正在被廣泛應用於平板顯示器等領域。然而，將IGZO應用於記憶體需要將其微細化至數奈米尺度，這就需要解決接觸電阻的問題。傳統方法往往難以適應奈米尺度複雜結構內部界面的挑戰。
為了解決這一問題，研究團隊從氫化催化劑中獲得靈感，搭配柔軟網格結構的鈀作為最佳電極，並采用直流濺鍍法易於成膜的非晶ZnSiOx作為保護膜。通過電極將氫引入內部界面，從而選擇性地還原電極-半導體界面，同時生成高導電性金屬中間層。
圖片來源：東工大プレスリリース
結果顯示，通過這種方法，接觸電阻從未處理的3kΩ・cm降低到處理後的6Ω・cm，改善了近500倍，晶體管的電界效應遷移率也提高到了20cm2/Vs。這一發現對製造高質量的TFT接觸界面具有重要意義，也為解決IGZO-TFT接觸電阻問題提供了一種新方法，同時維持設備的穩定性，對於下一代記憶體技術的發展具有重要意義。
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