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新一代記憶體效能突破關鍵,東工大研究團隊成功開發降低IGZO-TFT 接觸電阻技術

東京工業大學的研究團隊最近宣布了一項重要的發現:通過在非晶氧化物半導體IGZO-TFT的電極中使用催化金屬,可以有效解決IGZO-TFT中的接觸界面問題,降低接觸電阻的同時保持晶體管的穩定性。


圖片來源:東工大プレスリリース


IGZO-TFT作為一種高速大容量的記憶體材料,正在被廣泛應用於平板顯示器等領域。然而,將IGZO應用於記憶體需要將其微細化至數奈米尺度,這就需要解決接觸電阻的問題。傳統方法往往難以適應奈米尺度複雜結構內部界面的挑戰。


為了解決這一問題,研究團隊從氫化催化劑中獲得靈感,搭配柔軟網格結構的鈀作為最佳電極,並采用直流濺鍍法易於成膜的非晶ZnSiOx作為保護膜。通過電極將氫引入內部界面,從而選擇性地還原電極-半導體界面,同時生成高導電性金屬中間層。


圖片來源:東工大プレスリリース


結果顯示,通過這種方法,接觸電阻從未處理的3kΩ・cm降低到處理後的・cm,改善了近500倍晶體管的電界效應遷移率也提高到了20cm2/Vs。這一發現對製造高質量的TFT接觸界面具有重要意義,也為解決IGZO-TFT接觸電阻問題提供了一種新方法,同時維持設備的穩定性,對於下一代記憶體技術的發展具有重要意義。




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