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寬帶隙(WBG)半導體引領下一波電動車革命,勤友光電推出新設備方案

近年來,隨著電動車市場不斷擴大,第三類半導體或寬帶隙(WBG)半導體的應用需求也越來越高,其在未來市場的潛力也越來越被看好。根據市場研究報告顯示,WBG半導體市場在未來幾年將會持續增長,其中以碳化矽(SiC)為主的WBG半導體將成為主要的應用領域。碳化矽(SiC)相較於傳統的矽基半導體,具有更低的電阻率、更高的耐高溫性以及更高的耐壓性,因此被廣泛應用於電動車、太陽能、風能、電力電子等領域。尤其是在電動車領域中,碳化矽已被視為提升電池效率、節省成本、減少熱能損失等方面的關鍵技術。



除了碳化矽外,氮化鎵(GaN)也是WBG半導體的重要代表之一。氮化鎵擁有更高的開關速度和更低的導通電阻,同樣被廣泛應用於車用充電器、DC-DC降壓器、LED照明、無線通訊等領域。隨著WBG半導體技術的發展,未來的技術趨勢也將朝著高壓、高頻、高溫和高可靠性方向發展。同時,WBG半導體的制程技術也將不斷精進,例如更先進的製程和材料技術、更精密的測量和測試技術等。根據市調機構, 未來5年內SiC元件在功率半導體市場的佔比預期將由目前的約5%提升到超過23%

儘管第三類半導體的市場前景看好,但也存在一些挑戰。首先,生產第三類半導體的成本很高,需要大量的投資和技術支持。此外,這種半導體的生產過程也很複雜,需要高度精密的設備和環境。因此,只有那些具有足夠技術和資源的公司才能在這個市場上取得成功。


面對WBG半導體市場的機遇,勤友光電積極推出解決方案,提供完整的半導體製造設備與製程材料。其中包括SiC減薄至120um以下之 Laser De-bonder 完整解決方案,以及新世代UV Laser Annealing設備,該設備採用精密平台移動,以提供更為精確的製程控制。其特殊腔室設計使無氧環境控制在10ppm以內,並且擁有三維視覺定位系統及二次對準等技術,可夾持卡盤兼容4/6吋SiC薄片與bond pair,並可升級至8吋。此外,工藝過程中雷射功率監控技術,也可以提供更為穩定的製程品質。


綜上所述,第三類半導體或寬帶隙半導體的未來市場趨勢非常看好,尤其是在電動車和綠能領域中的應用潛力巨大。隨著各國政府逐漸強化對於淨零碳排放的要求,第三類半導體相關技術和產品將會有更廣泛的市場需求。勤友光電針對這一趨勢推出的SiC減薄TBDB total solution和新世代的UV Laser Annealing設備,也能夠提供客戶更為完整和精確的製程解決方案,助力各產業更有效地應對市場需求和技術挑戰。

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